Présente la modélisation CAO de circuits intégrés silicium. Explique la simulation des circuits intégrés en s'appuyant sur le simulateur SPICE et présente un modèle de transistor MOS adapté aux circuits de types numériques et analogiques. Aborde la modélisation des transistors MOS utilisés en régime radiofréquence, les circuits analogiques et les interconnexions dans les circuits intégrés. ©Electre 2025
Le traité Electronique, Génie Electrique, Microsystèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissances, méthodes et outils nécessaires à la maîtrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support.
Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants:
Electronique et micro-électronique
Optoélectronique
Génie électrique
Microsystèmes
Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats: celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix.
Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus.
Paru le : 14/10/2004
Thématique : Electronique
Auteur(s) : Non précisé.
Éditeur(s) :
Lavoisier-Hermès
Lavoisier
Collection(s) : Traité EGEM
Contributeur(s) : Directeur de publication : Jacques Gautier
Série(s) : Non précisé.
ISBN : Non précisé.
EAN13 : 9782746209541
Reliure : Relié
Pages : 352
Hauteur: 24.0 cm / Largeur 16.0 cm
Poids: 720 g
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