L'auteur présente les concepts nouveaux susceptibles de conduire à l'émergence des mémoires électroniques de type SCM (Storage Class Memory). Trois systèmes sont sur le point d'atteindre cet objectif : les mémoires magnétiques STT (Spin Transfer Torque), les mémoires à changement de phase (PCRAM) et les mémoires résistives (RRAM) à métallisation ou à changement de valence. ©Electre 2025
La réflexion en termes d'optimisation du stockage des données et des vitesses d'exécution a dernièrement conduit à de nouveaux critères de fonctionnement des mémoires électroniques du futur. Ces mémoires, tout en consommant très peu d'énergie, devront pouvoir assurer à la fois des fonctions d'archivage (conservation des données sur des périodes supérieures à 10 ans) et être capables d'effectuer des opérations logiques à très grande vitesse (temps de commutation de l'ordre de la nanoseconde).
De telles mémoires, dites SCM (Storage Class Memory), n'existent pas encore et font actuellement l'objet de recherches intensives.
Cet ouvrage présente les trois systèmes sur le point d'atteindre cet objectif : les mémoires magnétiques STT (Spin Transfer Torque), les mémoires à changement de phase (PCRAM) et les mémoires résistives (RRAM) à métallisation ou à changement de valence. Proposant une description détaillée des évolutions de la technologie existante, il analyse également l'émergence de concepts nouveaux susceptibles de conduire à des mémoires électroniques de type SCM.
Paru le : 19/09/2014
Thématique : Electronique
Auteur(s) : Auteur : Pierre-Camille Lacaze Auteur : Jean-Christophe Lacroix
Éditeur(s) :
Iste éditions
Collection(s) : Electronique
Série(s) : Non précisé.
ISBN : 978-1-78405-030-6
EAN13 : 9781784050306
Reliure : Broché
Pages : 268
Hauteur: 23.0 cm / Largeur 16.0 cm
Épaisseur: 1.4 cm
Poids: 0 g
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