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Modélisation du transistor bipolaire intégré. Vol. 1. Dispositifs au silicium
Éditeur(s) : Lavoisier-HermèsLavoisier
Description des mécanismes de 1er ordre dans le transistor bipolaire. Donne la liste des phénomènes de 2e ordre, détaille le modèle dynamique homologue du modèle d'Ebers et Moll. Détaille l'établissement du modèle de Gummel et Poon et présente la version utilisateur ...
115,00 €
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Modélisation du transistor bipolaire intégré. Vol. 2. Dispositifs à hétérojonctions
Éditeur(s) : Lavoisier-HermèsLavoisier
Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction...
82,01 €
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